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实验浏览量：20

真空镀膜技术制备半导体功能器件（OLED、OSC）虚拟仿真实验系统

本次实验用时：0时0分

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实验报告内容

实 验 报 告

项目名称：
学院名称：
专业班级：
学生姓名：
学 号：
实验日期：

实验成绩

指导老师

【实验目的】

【实验仪器】

【实验原理】

【实验数据记录以及实验结果】

OLED 器件制备参数记录表

OLED器件

设计结构

功能层所用材料的参数

磁控溅射ITO薄膜参数

真空室

本底压强(Pa)

溅射薄膜

工作压强(Pa)

氩气流量(×1.41ml/min)

氧气流量

(×0.99ml/min)

磁控溅射功率(W)

(射频源效率85%)

磁控溅射

制备薄膜时间(min)

ITO薄膜

热处理温度(℃)/时间(min)

ITO薄膜

电阻（Ω/¨）

旋涂功能薄膜参数

功能层材料1

薄膜厚度(nm)

旋涂仪所用转速(r/min)

MEH-PPV

热蒸发功能层薄膜参数

真空室

本底压强(Pa)

功能层材料2

热蒸发功层材料2温度（℃）

热蒸发功层材料2厚度（nm)

LiF

功能层材料3

热蒸发功层材料3温度（℃）

热蒸发功层材料3厚度（nm)

Alq3

-

OLED器件性能测量(测试数据中选取20组数据)

组数

1

2

3

4

5

6

7

8

9

10

电压

电流

亮度

组数

11

12

13

14

15

16

17

18

19

20

电压

电流

亮度

OSC器件制备参数记录表

OSC器件

设计结构

功能层所用材料的参数

磁控溅射ITO薄膜参数

真空室

本底压强(Pa)

溅射薄膜

工作压强(Pa)

氩气流量

(×1.41ml/min)

氧气流量

(×0.99ml/min)

磁控溅射功率(W)

(射频源效率85%)

磁控溅射

制备薄膜时间(min)

ITO薄膜

热处理温度(℃)/时间(min)

ITO薄膜电阻

（Ω/¨）

旋涂功能薄膜参数

功能层材料1

薄膜厚度

(nm)

旋涂仪所用转速

（r/min)

MEH-PPV

热蒸发功能层薄膜参数

真空室

本底压强(Pa)

功能层材料2

热蒸发功层材料2温度（℃）

热蒸发功层材料2

厚度（nm)

LiF

功能层材料3

热蒸发功层材料3温度（℃）

热蒸发功层材料3

厚度（nm)

Alq3

-

OSC器件性能测量(测试数据中选取20组数据)

组数

1

2

3

4

5

6

7

8

9

10

电压

电流

组数

11

12

13

14

15

16

17

18

19

20

电压

电流

开路电压

(Voc)/V

短路电流(ISC)/mA

填充因子(FF)

效率(η%)

【数据曲线图】

【实验心得体会】

【实验错误步骤】

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