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真空镀膜技术制备半导体功能器件(OLED、OSC)虚拟仿真实验系统
实验要求
点击查看:
真空镀膜技术制备半导体功能器件OLED、OSC 虚拟仿真实验-实验指导书
实验报告内容
实 验 报 告
实验成绩
指导老师
【实验目的】
【实验仪器】
【实验原理】
【实验数据记录以及实验结果】
OLED 器件制备参数记录表
OLED器件
设计结构
功能层所用材料的参数
磁控溅射ITO薄膜参数
真空室
本底压强(Pa)
氩气流量(×1.41ml/min)
氧气流量
(×0.99ml/min)
溅射薄膜
工作压强(Pa)
磁控溅射功率(W)
(射频源效率85%)
磁控溅射
制备薄膜时间(min)
ITO薄膜
热处理温度(℃)/时间(min)
旋涂仪旋涂功能层薄膜
旋涂材料1
薄膜厚度(nm)
旋涂仪转速(rpm)
旋涂材料2
溶液浓度(ml/mg)
热蒸发功能层薄膜参数
功能层材料1
热蒸发功能层
材料1温度(℃)
材料1厚度(nm)
功能层材料2
热蒸发功能层材料2无机蒸发电源(V)/电流(A)
材料2厚度(nm)
功能层材料3
热蒸发电极材料
无机蒸发电源(V)
热蒸发电极材料无机蒸发电流(A)
实验结果
磁控溅射法制备ITO薄膜电阻(Ω/¨)
OLED器件性能测量(测试数据中选取20组数据)
组数
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
电压
电流
亮度
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
开启电压/V
(最大)
发光亮度cd/m2
(最大亮度)
电流密度A/m2
(电流效率)
发光效率(cd/A)
器件性能分析(从数据、曲线、特征参数等方面简要分析)
OSC器件制备参数记录表
OSC器件
氩气流量
(×1.41ml/min)
OSC器件性能测量(测试数据中选取20组数据)
开路电压
(Voc)/V
短路电流(ISC)/mA
填充因子(FF)
效率(η%)
【数据曲线图】
【实验心得体会】
【实验错误步骤】
实验台
实验报告
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